PECVD管式爐配有等離子射頻電源，開(kāi)啟式管式爐（帶有真空法蘭和連接管道）及一個(gè)直聯(lián)式雙旋機(jī)械泵。此套設(shè)備模型可組合為不同類(lèi)型的PECVD系統(tǒng)，且設(shè)備性價(jià)較為理想。
PECVD管式爐的爐體結(jié)構(gòu)：
采用雙層殼體結(jié)構(gòu)，并帶有風(fēng)冷系統(tǒng)。
·爐膛采用高純多晶氧化鋁纖維，更大程度的減少能量損失。
·內(nèi)爐膛表面涂有美國(guó)進(jìn)口1750度高溫氧化鋁涂層可以提高反射率及設(shè)備的加熱效率，同時(shí)也可以延長(zhǎng)儀器的使用壽命。
·可選購(gòu)移動(dòng)爐架，方便爐體的移動(dòng)。
·產(chǎn)品特點(diǎn)：
?射頻電源可實(shí)現(xiàn)等離子增強(qiáng)從而顯著降低實(shí)驗(yàn)溫度；
?整套設(shè)備尺寸小巧；
?可通過(guò)工藝調(diào)節(jié)來(lái)控制化學(xué)計(jì)量；
?可通過(guò)射頻電源的頻率來(lái)進(jìn)行控制薄膜的應(yīng)力。
PECVD管式爐的主要用途：
1、利用等離子體聚合法可以容易地形成與光的波長(zhǎng)同等程度的膜厚。這樣厚度的膜與光發(fā)生各種作用，具有光學(xué)功能性。即：具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用。由于這種性質(zhì)的存在，低溫沉積Si3N4減反射膜，以提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
2、用于集成光電子器件介質(zhì)SiYNX膜的制備，如半導(dǎo)體集成電路的襯底絕緣膜、多層布線間絕緣膜以及表面純化膜的生長(zhǎng)。
3、在電子材料當(dāng)中可制成無(wú)針孔的均一膜、網(wǎng)狀膜、硬化膜、耐磨膜等。
4、在半導(dǎo)體工藝中不僅用于成膜，而且用于刻蝕，也是一個(gè)較為理想的設(shè)備，它可刻0.3μm以下的線條。
